其低正向电阻、低电容和低电感简化设计，支持设计师创建灵活的终端解决方案

• 电压 VR = 0 V 且频率 f ≥ 1 GHz 条件下，电容极低 C = 0.22 pF（典型值）

• 正向电流 IF = 10 mA 并且频率 f = 2.5 GHz 条件下，正向电阻低 RF = 2.7 Ω（典型值）

• 信号失真低

• 行业标准的 SOT23-3 封装 (2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)

• 无铅（符合 RoHS 标准），无卤素

针对低偏置电流 RF 和高速接口开关进行优化：

• 无线通信

• 高速数据网络